Description
近年来，强场下光与半导体材料的相互作用因其在超快光电器件及能带调控方面的潜力而引起了广泛关注。其中，硅（Si）作为现代半导体工业的基石，具有原材料丰富、加工工艺成熟、易于集成以及成本低廉等显著优势，是研究强场物理效应的理想平台。在与强场激光相互作用时，硅材料会表现出诸多新奇的物理现象。本文基于固体边带谐波技术，首次观测了具有中心对称结构的单晶硅在强场作用下的偶数谐波信号特性，系统研究了泵浦光频率以及泵浦-探测光延时对该偶数谐波产率的影响。进一步，我们还分析了单晶硅与非晶硅之间、不同激发条件以及不同样品厚度下偶数谐波信号的差异。该研究为理解强场下材料的光学响应及能带调控机制提供了新的实验依据。
Primary author
伟风 刘
(复旦大学)
